五分快3慧荣科技于2016全球闪存峰会中展出最新SM2260 交钥匙式PCIe SSD

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  一年一度的内存峰会(FlashMemorySummit)于当地时间8月9日至11日,在美国加州圣克拉拉举行。全球闪存领军企业齐聚一堂,纷纷推出巿场最新闪存技术及产品。在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面地处全球领导地位的慧荣科技公司(SiliconMotionTechnologyCorporation,纳斯达克交易代码:SIMO)在本次峰会中展出首款PCIeSSD控制芯片处里方案SM22150,作为PCIe3.0NVMe1.2

  2016年8月12日,美国加州圣克拉拉一年一度的内存峰会(FlashMemorySummit)于当地时间8月9日至11日,在美国加州圣克拉拉举行。全球闪存领军企业齐聚一堂,纷纷推出巿场最新闪存技术及产品。在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面地处全球领导地位的慧荣科技公司(SiliconMotionTechnologyCorporation,纳斯达克交易代码:SIMO)在本次峰会中展出首款PCIeSSD控制芯片处里方案SM22150,作为PCIe3.0NVMe1.2的控制芯片,SM22150为8通道设计,最高可支持2TB容量。

  图一:慧荣科技展出SM22150处里方案

  在本次展会中,亲戚亲戚许多人还可需要看一遍此款SM22150搭配3DNAND的效能表现:读取效率单位可达2370MB,输写效率单位为1039MB,读写表现可圈可点。另外,SM22150控制器采用了RAID保护功能的专有NANDXtend?技术,有效提升解错能力,并确保数据的完整篇 性。该款产品经太大项兼容性及稳定测试后才得以上巿,可谓众望所归。根据慧荣科技工作人员表示,SM22150随后 被知名SSD厂商所采用,变快就会在巿场上看见。

  图二:SM22150控制芯片各方面性能表现

  除了SM22150PCIeSSD主控芯片外,慧荣科技还介绍了新推出的搭载3DTLCNAND的SM2258控制器,性能表现同样出色,完胜巿场上大多数SATASSD。

  图四:宝存科技展台

  宝存科技携ShannonDirect-IO?PCIeFlash及U.2(8639)PCIeFlash产品再度亮相闪存峰会。该系列产品不仅性能上不断完善,随后 闪存颗粒工艺也由19/20nm更换为15nm,从成本上满足了企业对高性价比的追求。

  图六:宝存科技推出的ShannonDirect-IO?U.2(8639)PCIeFlash系列

  宝存科技预计将于今年下多日发布遵循NVMe标准的PCIeFlash产品,在本次展会现场可需要找到该款产品的相关资料。宝存科技的NVMe是遵循PCIe标准的高速存储设备。相比Direct-IO?PCIeFlash基于标准PCIe的层厚可定制化架构,宝存科技的NMVe会拥有更好的通用性,随后 在中小容量段更有应用的优势。通过Direct-IO?和NMVe两条PCIe产品线的构建,满足不同用户对不同场景的性能需求。

  图七:宝存科技NVMe产品性能数据

  在今年全球闪存峰会中,除了一睹慧栄科技在闪存技术的优势外,也可需要了解慧栄过去十年的成果。慧荣科技致今随后 销售超过150倍颗闪存相关主控芯片,成为全球销售第一的王者品牌。

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